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还在为高压应用的开关损耗和散热问题烦恼吗？让STP3NK60ZFP来为您分忧。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有600V的高耐压和2.4A的电流能力，专为要求苛刻的开关应用而优化。

它采用先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻和栅极电荷，从而大幅提升您的电源转换效率，让系统运行更凉爽、更稳定。无论是构建紧凑的电源适配器，还是驱动高效的LED照明系统，它都能让您轻松实现高性能与高可靠性的设计目标。

其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种环境下都能持久稳定工作。选择STP3NK60ZFP，就是为您的产品选择了一颗高效、可靠的“动力心脏”。

• 型号:STP3NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP3NK60ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。