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您正在设计一款需要处理高电压、大电流的电源或电机驱动设备吗？面对600V的应用环境，如何平衡效率、可靠性与成本？STW23NM60N就是为您而来的答案。这颗采用意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，能轻松胜任19A的连续电流，其超低的180毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量管理变得更简单。

它不仅仅是一个开关。高达600V的耐压和优化的动态特性，让您的设备在面对工业现场的电压波动时更加稳健可靠。无论是用于功率因数校正（PFC）、开关电源（SMPS），还是电机变频驱动，它都能帮助您构建出更高效、更紧凑、更耐用的解决方案。选择它，就是选择让您的产品在性能与可靠性上脱颖而出。

• 型号:STW23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW23NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。