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在追求极致能效的今天，您是否希望找到一颗能大幅降低系统损耗、提升功率密度的“心脏”部件？STF17N80K5正是为此而生。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高压耐受能力和14A的连续电流能力，专为应对高效开关电源、电机控制和照明驱动等挑战而设计。

它的核心价值在于卓越的开关性能与低损耗特性。极低的导通电阻（Rds(on)）让您在传导过程中损失的能量更少，而优化的栅极电荷（Qg）则确保了快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗。这两者的结合，让您的系统轻松实现更高的整体效率，同时有效控制温升。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围，更能让您在各种严苛的应用环境中信心十足，构建出更可靠、更紧凑、更具竞争力的终端产品。

• 型号:STF17N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:866 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF17N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。