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STD3LN62K3 零件图片(仅供参考)

STD3LN62K3
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STD3LN62K3 规格参数

还在寻找一颗能兼顾高压、高效与高可靠性的开关管吗?STD3LN62K3正是您的理想答案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET,拥有620V的坚固耐压和2.5A的持续电流能力,专为应对苛刻的电源转换环境而生。

它能让您的设计轻松实现更低的能量损耗其卓越的3欧姆导通电阻与优化的动态参数,共同确保了从轻载到满载的高效率运行。无论是构建紧凑的开关电源,还是驱动高要求的LED照明系统,STD3LN62K3都能提供稳定、高效的性能,并凭借其出色的热管理能力,保障系统长期可靠工作。选择它,就是为您的产品注入了高效与可靠的核心基因。

  • 型号:STD3LN62K3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):620 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 1.25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):386 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):45W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • STD3LN62K3,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD3LN62K3 基本参数:

  • 电子零件型号:STD3LN62K3
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STD3LN62K3的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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