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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、大电流和超低损耗的功率开关吗？STP35N65DM2正是为您而来。这颗基于意法半导体先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和32A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（110mΩ）与栅极电荷的完美结合。这意味着它能显著降低您电源或电机驱动系统中的导通损耗和开关损耗，直接提升整体能效，让您的产品在能耗表现上脱颖而出。

它能让您轻松应对工业电源、电机控制、PFC电路及高性能照明驱动等应用挑战。优异的开关特性简化了驱动设计，而TO-220封装则提供了卓越的散热性能，确保在高功率下持续稳定工作。选择STP35N65DM2，就是为您的下一个高效、可靠的设计项目，注入一颗强劲而智慧的“动力核心”。

• 型号:STP35N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2540 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP35N65DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。