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您正在寻找一颗能“扛大梁”的功率开关吗？STB80NE03L-06T4正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅6毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流应用，如电机驱动或电源转换中，它能大幅减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高，直接帮您节省能源并提升产品可靠性。

它采用优化的STripFET技术，具备快速的开关特性（栅极电荷仅130nC）和低至4.5V的驱动门槛，让您能轻松设计出高效、响应迅速的驱动电路。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和坚固的D2PAK封装，确保它在各种严苛环境下稳定工作，是您构建高效、紧凑、可靠功率系统的得力助手。

• 型号:STB80NE03L-06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80NE03L-06T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。