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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STP34NM60ND正是为此而生！这颗采用FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V击穿电压和29A的电流处理能力，核心使命就是让您的电源转换和电机驱动应用运行得更加顺畅。

它凭借低至110毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，帮助您的系统减少发热，提升整体能效。优化的动态参数（如栅极电荷）确保了快速开关，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小变压器和滤波器体积。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子的紧凑高效，STP34NM60ND都能以卓越的稳定性和性能，成为您设计中值得信赖的功率核心。

• 型号:STP34NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP34NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。