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在追求极致能效与可靠性的道路上，您是否渴望一颗能同时驾驭高压与高效率的功率核心？STD7N80K5正是为此而来。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和仅1.2欧姆的低导通电阻，能显著降低开关电源、电机驱动或PFC电路中的导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它不仅仅降低了能耗，更通过优化的动态参数（如低栅极电荷）提升了开关速度，有效减少开关损耗，让您轻松应对高频设计挑战，满足严苛的能效法规。其坚固的DPAK封装确保了出色的散热能力，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，为您在各种环境下的稳定运行保驾护航。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏。

• 型号:STD7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。