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您正在寻找一颗能轻松驾驭500V高压、22A大电流的功率开关吗？STP32NM50N正是您的理想伙伴。它采用ST先进的MDmesh II技术，能显著降低导通电阻和开关损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它让您在高功率应用中实现更高的能源转换效率，其坚固的TO-220封装和宽泛的工作温度范围确保了卓越的可靠性。无论是提升现有产品性能，还是开发新一代高效能设备，STP32NM50N都能提供强大而稳定的核心动力。

• 型号:STP32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP32NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。