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您是否渴望一款能同时驾驭高效率、低损耗与高可靠性的功率开关？STI18N65M2正是您的理想之选。这颗基于先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有650V耐压和12A电流能力，其核心价值在于让您的电源或电机驱动设计变得前所未有的高效与轻松。

它通过仅330毫欧的超低导通电阻，显著减少导通损耗，将更多电能用于有效输出而非发热。同时，优化的栅极特性让开关速度更快、损耗更低，使您能轻松提升系统工作频率，实现更高功率密度。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求消费电子的极致能效，STI18N65M2都能以卓越的热性能和可靠性，确保您的系统稳定、持久地高效运行。

• 型号:STI18N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI18N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。