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您正在设计一款需要处理数百伏电压、承载数十安培电流的电源或电机驱动板吗？STP24NM65N正是为您应对此类挑战而生的强力引擎。这颗N沟道MOSFET拥有650V的高耐压和19A的连续电流能力，能轻松胜任开关电源、UPS、工业变频器等应用中的主功率开关角色。

它的核心使命是让您的系统运行得更“冷静”、更高效。凭借MDmesh II技术，它在导通时阻抗极低，能大幅减少通态损耗；同时优化的动态参数让开关过程更快更平滑，有效降低开关损耗。这意味着，您不仅能提升整体能效，还能简化散热设计，增强系统可靠性。

无论是应对严苛的工业环境温度（-55°C至150°C），还是需要经典的TO-220封装便于安装散热，STP24NM65N都以稳健的表现，致力于成为您高性价比、高可靠性设计方案中的基石型元件。

• 型号:STP24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP24NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。