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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“核心引擎”吗？STP31N65M5正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有650V的高压耐受能力和22A的强大电流吞吐量，其创新的MDmesh V技术带来了低至148毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器应用轻松实现更高的能效等级和更低的温升。

它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品性能的利器。极低的栅极电荷确保快速干净的开关动作，而TO-220封装则提供了卓越的散热性能。无论是面对工业级的严苛挑战，还是消费电子对尺寸和效率的双重要求，STP31N65M5都能让您的设计游刃有余，高效运行，助您打造出更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:STP31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP31N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。