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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、低损耗与高可靠性的高压开关管吗？STD5N60DM2正是为此而生。这颗采用ST先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和3.5A的电流处理能力，专为提升您的开关电源、照明驱动等应用的性能而优化。

它的核心价值在于极低的导通电阻（1.55Ω）与栅极电荷（8.6nC），这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。采用DPAK表面贴装封装，不仅节省空间，其强大的散热能力（45W）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），更能让您轻松应对各种设计挑战，构建出更紧凑、更可靠、更具竞争力的电源解决方案。

• 型号:STD5N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.55 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:375 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。