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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压大电流任务的功率开关吗？STP30NM30N正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有300V的坚固耐压和30A的强大电流吞吐能力，让您在设计开关电源、电机驱动或逆变系统时，拥有一个高效可靠的能量控制核心。

它采用ST先进的MDmesh II技术，在10V驱动电压下导通电阻极低，这意味着更小的传导损耗和更高的整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，让您的系统运行更迅捷、更稳定。其经典的TO-220AB封装提供了卓越的散热性能，配合宽广的工作温度范围，让您的设备即使在严苛环境下也能持久稳定地输出功率。

• 型号:STP30NM30N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP30NM30N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。