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在追求高效能与可靠性的道路上，您是否渴望一颗能轻松驾驭高压大电流任务的“开关能手”？STP12NM50正是为此而生。它凭借500V的耐压和12A的电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动或PFC（功率因数校正）电路时信心倍增，轻松应对严苛的电气环境。

这颗芯片采用了ST引以为傲的MDmesh技术，其核心优势在于实现了极低的导通电阻（仅350毫欧）与优化的栅极电荷之间的完美平衡。这意味着它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高，直接帮助您节省能源并提升产品可靠性。无论是应对频繁的开关动作，还是在高温下持续工作，它都能稳定发挥，是您打造高性能、长寿命功率应用的理想选择。

• 型号:STP12NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NM50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。