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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STP36N60M6正是为您破解这一难题的利器。这颗来自意法半导体MDmesh M6家族的功率MOSFET，集600V耐压与30A大电流于一身，其核心价值在于让您的系统运行得更“冷”、更“静”、更高效。

它通过极低的导通电阻（仅99毫欧）和优化的栅极电荷，大幅削减了开关过程中的能量损耗。这意味着，在服务器电源、电机驱动或太阳能逆变器等应用中，它能帮助您轻松提升整体能效，减少散热需求，从而让您的设备设计更紧凑，运行更可靠，寿命更长久。

• 型号:STP36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP36N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。