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还在寻找一颗能扛起高压重任又兼具高效率的“心脏”吗？让STP2NK100Z来为您实现！这颗基于意法半导体先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，是专为高压开关应用而生的效能专家。它能轻松驾驭高达1000V的电压，并以极低的导通电阻（8.5Ω @10V）为您大幅降低导通损耗，直接提升整机能效，让热量不再是设计的瓶颈。

更令人惊喜的是，其优化的动态特性极低的栅极电荷和输入电容，让开关动作干净利落，显著减少开关损耗，尤其适合需要高频操作的场景。采用坚固可靠的TO-220AB封装，散热性能优异，安装简便。选择它，就是为您的电源、电机驱动或照明系统选择了一份高效、稳定与安心，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STP2NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:499 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP2NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。