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您正在寻找一颗能在高频、高压下稳定输出大功率的射频核心器件吗？LET16060C正是为您而来！这颗基于LDMOS技术的射频功率晶体管，专为 demanding 应用设计，让您轻松驾驭1.6GHz频率下的60W功率放大挑战。

它拥有高达13.8dB的增益和80V的额定电压，能显著提升信号强度与系统稳健性，让您的通信或发射设备输出更强劲、更清晰的信号。其M243封装形式兼顾了性能与可靠性，帮助您高效构建从基站到专业广播设备的各种高要求射频前端模块，简化设计流程，加速产品上市。

• 型号:LET16060C
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M243
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V M243
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:1.6GHz
• 增益:13.8dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:12A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:400 mA
• 功率 - 输出:60W
• 电压 - 额定:80 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:M243
• 供应商器件封装:M243
• LET16060C，ST（意法半导体）产品一站式供应商。