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您是否正在寻找一颗能扛起高压开关重任，同时保持冷静与高效的“核心动力”？STP2N62K3正是为此而生。这颗来自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和2.2A的连续电流能力，专为要求苛刻的电源转换和电机控制应用而设计。

它的魅力在于其卓越的内在性能。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关动作既快速又干净，显著降低了开关损耗和驱动电路的负担。这一切都集成在经典的TO-220封装内，强大的散热能力让您轻松应对高达45W的功率耗散，确保系统长期稳定可靠。选择STP2N62K3，就是为您的产品注入一颗高效而强健的“心脏”。

• 制造商产品型号：STP2N62K3
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SuperMESH3
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP2N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。