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您正在寻找一颗能轻松驾驭620V高压平台，同时保持极低损耗的功率开关吗？STI10N62K3正是您的理想之选。它基于意法半导体先进的SuperMESH3技术打造，旨在为您的高压应用带来革命性的效率提升。

这颗N沟道MOSFET拥有高达8.4A的电流处理能力和仅750mΩ的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行更高效、更凉爽。其优化的动态特性有助于简化驱动设计，让您轻松实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件体积，助力打造更紧凑、功率密度更高的产品。

• 型号:STI10N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI10N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。