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当您的设计需要处理高达110A的强劲电流时，是否渴望一颗既能承受高压又极致高效的“心脏”？STH110N10F7-6正是为此而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和惊人的110A连续电流能力，而其核心魅力在于仅6.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它采用了先进的STripFET VII技术，配合优化的H2PAK-6封装，不仅功率耗散能力出色，更能让您轻松实现高功率密度设计。无论是提升开关电源的转换效率，还是强化电机控制的响应速度，STH110N10F7-6都能以卓越的电气性能和热性能，助您一臂之力，让复杂的高功率应用变得简单而高效。

• 型号:STH110N10F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH110N10F7-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。