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还在寻找那颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的“心脏”吗？STP28N60M2正是您期待的答案。这颗600V/24A的N沟道MOSFET，凭借ST独有的MDmesh II Plus技术，能为您大幅降低导通损耗，让电能转换过程更加高效、发热更少。

它能让您的电源设计轻松应对严苛挑战。优化的动态参数让开关更迅捷、损耗更低，您不仅可以提升系统能效，还能简化散热设计，节省空间与成本。高达170W的耗散能力和宽广的工作温度范围，更确保了它在各种应用环境下的卓越可靠性与长寿命，是您打造高品质电力电子产品的理想选择。

• 型号:STP28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP28N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。