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还在为寻找一款既能处理大电流又兼顾高效率的P沟道MOSFET而烦恼吗？STL42P4LLF6正是您理想的解决方案。它能让您的电源路径管理变得前所未有的轻松，凭借高达42A的电流承载能力和低至18毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗和发热，直接提升系统整体能效。

这颗芯片专为追求功率密度和可靠性的设计而生。其优化的栅极电荷和快速开关特性，让您能够构建响应更迅捷的电路；而坚固的PowerFlat封装和宽广的工作温度范围，则确保了它在各种应用环境中都能稳定持久地工作。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STL42P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL42P4LLF6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。