我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB160NF3LLT4现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能扛起高电流重任，同时又将能量损耗降至最低的功率开关？STB160NF3LLT4正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有160A的强大电流承载能力和低至3.3毫欧的超低导通电阻，能显著减少您电源或电机驱动系统中的热量产生，直接提升整体能效。

它让您轻松驾驭服务器电源、DC-DC转换及电机控制等应用。其优化的栅极电荷和快速的开关特性，确保了高效、平稳的运行。高达300W的功率处理能力和坚固的D2PAK封装，更为您的设计提供了可靠的散热保障与生产便利。选择STB160NF3LLT4，就是为您的产品注入一股强劲而高效的核心动力。

• 型号:STB160NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB160NF3LLT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。