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您是否正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时又能保持冷静高效的“核心动力”？STP28N60DM2正是为您而来的解决方案。它集成了ST先进的MDmesh DM2技术，以低至160毫欧的超低导通电阻，显著降低功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统轻松实现更高的能源效率。

这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和21A的强大电流处理能力，配合优化的动态参数，确保了快速、干净的开关性能。这意味着它不仅能帮助您减少散热设计负担，还能有效降低系统电磁干扰，简化您的整体设计难度。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

• 型号:STP28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP28N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。