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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高功率密度和出色可靠性的功率开关吗？STL40N10F7正是您理想的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，基于先进的DeepGATE技术，旨在让您的电源设计脱胎换骨。

它能在100V电压下轻松驾驭40A的连续电流，而其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值远低于24毫欧@10V）。这意味着它能显著减少导通损耗，直接提升系统整体效率，并让散热设计变得更为简单。同时，优化的栅极电荷（Qg）确保了快速、干净的开关动作，让您在高频应用中也能获得平滑稳定的性能。

无论是构建高效的DC-DC转换器、驱动电机，还是应用于对空间和温升敏感的便携设备，STL40N10F7凭借其PowerFlat紧凑封装和宽广的工作温度范围，都能助您打造出更小、更凉、更强大的终端产品。

• 型号:STL40N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL40N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。