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您正在寻找一颗能同时驾驭高压、大电流，且运行高效凉爽的功率开关吗？STP26N65DM2正是为您而来。这颗基于ST先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的漏源电压和20A的连续电流能力，其核心魅力在于超低的190毫欧导通电阻。这意味着它能大幅降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更低温，直接提升整机能效和可靠性。

它不仅仅参数强悍，更注重实际应用体验。优化的栅极电荷和电容特性让开关速度更快、驱动更简单，轻松应对高频开关需求。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，则赋予了它无惧严苛环境的坚韧品质。选择STP26N65DM2，就是为您的设计注入一颗强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:STP26N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP26N65DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。