我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP23NM60ND现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任的核心开关吗？STP23NM60ND正是这样一款利器。它能让您轻松驾驭高达600V的电压和19.5A的连续电流，其FDmesh II技术带来的低至180毫欧的导通电阻，显著降低了导通损耗，直接提升您的系统整体效率。

这颗MOSFET专注于让您的电源设计更高效、更可靠。优化的栅极电荷和开关特性，有助于减少开关损耗和噪声，让功率转换过程更加平滑顺畅。其坚固的TO-220AB封装和宽工作温度范围，确保它在各种挑战性环境中都能稳定发挥，是工业电源、电机驱动等高压大电流应用的理想选择。

• 型号:STP23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:69 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP23NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。