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您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、高效开关与出色可靠性的功率开关管吗？STP23N80K5正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有800V的坚固耐压和16A的强大电流处理能力，源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh K5技术平台。

它的核心价值在于让您的电源设计更高效、更紧凑。极低的导通电阻与优化的动态参数协同工作，能显著降低开关损耗和导通损耗，从而提升系统能效，减少热量产生。这意味着您可以设计出功率密度更高、散热要求更简单的产品。无论是开发新一代服务器电源、工业变频器，还是电动汽车充电模块，STP23N80K5都能为您提供坚实的性能基础，助您轻松应对高功率密度与高可靠性的双重挑战。

• 型号:STP23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP23N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。