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还在寻找那颗能扛起高压大电流重任的“核心开关”吗？STW70N60DM6就是您的理想答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和高达62A的连续电流处理能力，专为 demanding 的功率转换场景量身定制。

它基于先进的MDmesh DM6技术，旨在为您大幅降低导通损耗和开关损耗。这意味着，在您的服务器电源、电机驱动或新能源系统中，它能帮助您轻松提升整体能效，减少发热，让系统运行得更凉爽、更可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STW70N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 62A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW70N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。