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您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与低损耗的功率开关吗？STH130N8F7-2正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有80V的耐压和高达110A的连续电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅5毫欧，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

得益于STripFET F7先进技术，它具备优异的开关特性（栅极电荷Qg仅60nC）和强大的散热能力（封装功耗205W）。这意味著您可以轻松提升系统功率密度，简化散热设计，并确保在严苛环境下的长期稳定性。无论是提升能效还是缩小体积，它都是您实现设计目标的得力助手。

• 制造商产品型号：STH130N8F7-2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F7
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：110A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4500pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：205W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2Pak-2
• STH130N8F7-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。