我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP22NS25Z现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要处理高压大电流的电源或驱动电路吗？STP22NS25Z正是为您而生的高效开关。这颗N沟道MOSFET拥有250V的漏源电压和22A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗。得益于先进的MESH OVERLAY技术，它在10V驱动下导通电阻极低，能显著减少开关过程中的能量损失，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它能让您轻松应对开关电源、电机控制、UPS等应用中的功率切换挑战。高达135W的功率耗散和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了其在各种环境下都能稳定可靠地工作。经典的TO-220AB封装也为您的散热设计和生产装配提供了便利。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STP22NS25Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 22A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:151 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP22NS25Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。