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还在寻找能完美平衡性能与功耗的电源开关解决方案吗？让意法半导体的STS5P3LLH6 P沟道MOSFET为您开启高效设计新篇章。它凭借STripFET H6技术，为您带来仅56毫欧的超低导通电阻，轻松处理高达5A的连续电流，显著降低导通损耗，让您的便携设备续航更持久，运行更凉爽。

这颗芯片能在低至4.5V的驱动电压下高效工作，开关迅速且栅极电荷极低，让您的系统响应更敏捷，整体能效大幅提升。其坚固的设计支持高达150°C的工作结温，确保在各种应用环境中稳定可靠。无论是用于电源管理、负载开关还是电机驱动，STS5P3LLH6都能让您以更小的空间占用，实现更强大的控制功能，是您打造下一代高性能电子产品的理想核心部件。

• 型号:STS5P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS5P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。