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您正在寻找一颗能“扛大梁”的功率开关吗？STV160NF02LT4正是为此而生！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有惊人的160A连续电流处理能力，而其核心魅力在于低至2.5毫欧的导通电阻。这意味着在您的大电流路径上，它能将导通损耗降至极低，让电能几乎毫无阻碍地通过，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。

它采用先进的STripFET II技术，在10V驱动电压下表现尤为出色。优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关动作既迅速又干净，帮助您轻松实现更高频率的电源设计，从而缩小变压器和电感等磁性元件的体积。无论是用于同步整流、电机驱动还是高密度电源模块，它都能让您的设计更紧凑、更高效、更可靠。

• 型号:STV160NF02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4800 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• STV160NF02LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。