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还在寻找一颗能同时驾驭600V高压与20A大电流，且运行高效稳定的功率开关吗？STP20NM60FD正是您的理想之选。这颗基于意法半导体先进FDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有低至290毫欧的导通电阻，能显著降低传导损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高，发热更少。

它具备优异的开关特性（Qg仅37nC）和强大的散热能力（功耗192W），采用坚固的TO-220AB封装，确保您能轻松应对高频开关和持续大功率输出的挑战。无论是提升能效、简化散热设计，还是增强系统可靠性，STP20NM60FD都能让您的设计事半功倍，高效达成性能目标。

• 型号:STP20NM60FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NM60FD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。