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您是否正在为高压、高电流的功率转换电路寻找一颗高效、可靠的心脏？STP12NM50N正是为此而生。它能让您轻松驾驭高达500V的电压和11A的连续电流，其核心的MDmesh II技术将导通电阻降至极低水平，显著减少开关损耗和发热，从而让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片具备出色的动态特性，如较低的栅极电荷和输入电容，这意味着它能实现更快的开关速度，让您的系统响应更迅捷，整体性能进一步提升。坚固的TO-220AB通孔封装确保了卓越的散热能力和机械可靠性，轻松应对严苛的工作环境。选择STP12NM50N，就是为您的设计注入一份强大的动力与持久的稳定，让复杂的高压功率管理变得简单而高效。

• 型号:STP12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。