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您正在寻找一颗能轻松驾驭中功率开关任务的“强力心脏”吗？STP20NE06L正是为此而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和20A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通损耗，能显著提升您的电源转换或电机驱动效率，让系统运行更凉爽、更持久。

它采用意法半导体先进的STripFET技术，确保在5V或10V的标准驱动电压下即可实现高效导通。极低的栅极电荷和输入电容，让开关速度更快，驱动更简单，有效减少开关损耗。无论是用于DC-DC转换、电机控制还是负载开关，STP20NE06L都能让您的设计在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STP20NE06L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NE06L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。