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STGF5H60DF 零件图片(仅供参考)

STGF5H60DF
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STGF5H60DF 规格参数

您正在寻找一颗能同时兼顾高效、坚固与易用的功率开关芯片吗?STGF5H60DF正是为您而来。它集成了先进的沟槽型场截止IGBT技术,能够轻松处理高达600V、10A的功率任务,其低至1.95V的导通压降,直接为您节省宝贵的能源,降低系统发热。

这颗芯片旨在让您的设计工作更轻松。它拥有极快的开关速度和优化的栅极电荷(仅43nC),让您能够实现更高频率的开关操作,从而缩小磁性元件体积,降低整体系统成本。无论是面对工业环境的严酷考验,还是需要长时间稳定运行,其宽广的工作温度范围和稳健的TO-220封装,都为您提供坚实的可靠性保障,助您高效打造更具市场竞争力的产品。

  • 型号:STGF5H60DF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220FP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-220FP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A
  • 功率 - 最大值:24 W
  • 开关能量:56J(导通),78.5J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:43 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/140ns
  • 测试条件:400V,5A,47 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):134.5 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FP
  • STGF5H60DF,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGF5H60DF 基本参数:

  • 电子零件型号:STGF5H60DF
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-220FP
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 点击此处查询STGF5H60DF的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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