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您正在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的功率开关吗？STP18N65M5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的漏源击穿电压和15A的连续电流能力，其核心魅力在于超低的220毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对复杂的应用环境。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，帮助您提升系统工作频率，优化磁性元件设计。无论是用于构建紧凑型开关电源、高可靠性工业变频器，还是高效的太阳能逆变器，STP18N65M5都能提供稳定、强劲的功率处理性能，并凭借其优异的体二极管特性，进一步简化您的电路设计，提升整体系统可靠性。

• 型号:STP18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。