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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关核心？STI33N60M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和26A的电流能力，其超低的125毫欧导通电阻能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，提升功率密度。无论是用于工业变频器、UPS电源，还是光伏逆变器，它都能提供稳定可靠的性能，助您轻松应对能效挑战，打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STI33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1781 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI33N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。