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您正在设计需要高效功率转换的电源或电机驱动方案吗？STF16N65M2 N沟道MOSFET正是为您而来的解决方案。它拥有650V的高耐压和11A的强电流处理能力，核心搭载意法半导体先进的MDmesh M2技术，能显著降低导通电阻和开关损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对严苛的开关环境，其优化的栅极电荷和电容特性简化了驱动设计，助力实现更高频率和更紧凑的布局。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发新一代高可靠性工业设备，STF16N65M2都是您值得信赖的功率开关选择，助您打造性能卓越且极具市场竞争力的终端产品。

• 型号:STF16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF16N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。