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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易驱动性的高压开关管吗？STP18N60M6正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和13A电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗与开关损耗，能让您的电源或电机驱动方案轻松实现更高的能效等级和功率密度。

它专为要求苛刻的开关模式电源（SMPS）、照明镇流器和电机控制应用而优化。优异的栅极电荷特性让驱动设计更简单，系统工作更高效；坚固的TO-220封装则确保了出色的散热性能，让您的设备运行更稳定、寿命更长久。选择STP18N60M6，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的‘芯’脏。

• 型号:STP18N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。