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还在为高功率射频放大电路的效率与线性度烦恼吗？让SD56120为您提供强大而可靠的解决方案。这颗基于先进LDMOS技术的射频功率晶体管，能让您在860MHz频段轻松驾驭高达100W的输出功率，同时享受16dB的高增益，显著提升您发射链路的总效率与信号质量。

它专为严苛环境设计，65V的高额定电压和坚固的M246封装，确保其在基站、广播发射等连续大功率工作中稳定可靠。选择它，就是为您的核心射频模块注入一颗久经考验的“强芯”，让系统性能表现更加出众。

• 型号:SD56120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M246
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V M246
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:860MHz
• 增益:16dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:14A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:400 mA
• 功率 - 输出:100W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:M246
• 供应商器件封装:M246
• SD56120，ST（意法半导体）产品一站式供应商。