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还在为高压小电流开关应用寻找一颗可靠、高效的“心脏”吗？STN1NK60ZL正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH技术的600V N沟道MOSFET，拥有低至15欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源设计轻松实现更高效率。

它能让您的充电器、LED驱动器或小功率开关电源运行得更凉爽、更安静。其紧凑的SOT-223封装节省了宝贵的电路板空间，而高达3.3W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围，则确保了在各种严苛环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体的高性能基因。

• 型号:STN1NK60ZL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN1NK60ZL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。