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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高电压、大电流和超低损耗的“全能型”功率开关？STP18N60DM2正是为此而生！它基于ST先进的MDmesh DM2技术，拥有600V的坚固耐压和12A的强大电流处理能力，而其核心魅力在于惊人的低导通电阻（Rds(on)），能大幅降低导通状态下的功率损耗，直接为您提升系统效率，减少散热负担。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭从工业电源、电机驱动到新能源设备在内的多种中高功率应用。优异的开关特性（低Qg和Ciss）确保快速响应，减少开关损耗，让您的设计可以运行在更高频率，从而实现更小的磁性元件和更紧凑的整体方案。其TO-220封装提供了出色的功率耗散能力（高达90W），确保在严苛环境下依然稳定可靠。选择STP18N60DM2，就是选择用一颗芯片释放系统最大潜能，高效、可靠地达成您的设计目标。

• 型号:STP18N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。