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您是否正在为高压、高功率应用寻找一颗既能“扛得住”又能“跑得快”的功率开关？STU13N60M2 N沟道MOSFET正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的MDmesh II Plus技术，拥有600V的耐压和11A的电流处理能力，让您轻松应对严苛的工业级电源与驱动挑战。

这颗芯片的核心使命，就是帮助您大幅提升系统能效。其380毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通状态下的功率损耗，让电能更高效地传递，设备发热更少。同时，极低的栅极电荷（仅17nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源设计可以实现更高的工作频率，从而缩小磁性元件体积，优化整体方案成本。

无论是构建紧凑高效的开关电源、驱动强劲的电机，还是设计高可靠性的PFC电路，STU13N60M2都能以其卓越的电气性能和宽温工作范围（-55°C ~ 150°C），为您的产品注入稳定、高效的核心动力，助您在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STU13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU13N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。