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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛住大电流的P沟道MOSFET而烦恼吗？STL8P2UH7就是为您量身打造的解决方案！它集成了ST意法半导体先进的DeepGATE技术，在仅2x2毫米的微型PowerFlat封装内，实现了惊人的8A连续电流承载能力和低至22.5毫欧的导通电阻。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松构建高效的负载开关、电源路径管理和电机驱动电路。极低的栅极电荷和优化的开关特性，意味着您可以实现更高频率的开关操作，同时将损耗降至最低，从而显著提升整个系统的能效和热性能。无论是延长便携设备的电池寿命，还是确保汽车电子模块的稳定运行，STL8P2UH7都能以卓越的可靠性助您一臂之力。

• 型号:STL8P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
• STL8P2UH7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。