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还在寻找能同时兼顾高功率、高效率与高可靠性的开关解决方案吗？STP170N8F7 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能让您轻松驾驭高达80V的电压和120A的连续电流，凭借其仅为3.9毫欧的超低导通电阻，大幅降低开关过程中的功率损耗，从而显著提升整个系统的能源利用效率。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电机驱动更强劲、电源转换更高效、负载开关更迅速。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速干净的开关动作，让您能够设计出响应更敏捷的电路。无论是用于工业自动化、通信电源还是新能源领域，STP170N8F7都能以卓越的电气性能和坚固的TO-220封装，为您的产品提供持久可靠的核心动力。

• 型号:STP170N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8710 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP170N8F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。