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还在为复杂的功率管理设计而头疼吗？让STP16NS25FP来为您化繁为简！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是您构建高效、可靠功率系统的核心基石。

它能让您轻松驾驭高达250V的电压和16A的电流，其出色的MESH OVERLAY技术确保了极低的导通损耗，显著提升您的电源转换或电机驱动效率。同时，宽广的工作温度范围（-65°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，让您的产品无惧严苛环境挑战，运行更稳定，寿命更长久。

• 型号:STP16NS25FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP16NS25FP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。