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它能让您轻松实现高达15W的稳定射频功率输出，并凭借17dB的高增益，显著提升系统的链路预算和覆盖范围。其40V的高额定电压和优异的散热封装设计，确保了在严苛环境下的长期运行可靠性。无论是用于专业通信、数据链路还是工业控制，PD85035STR-E都能为您提供高效、稳定的放大性能，简化您的射频前端设计，加速产品上市进程。

• 型号:PD85035STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:8A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:350 mA
• 功率 - 输出:15W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD85035STR-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。